晶圆表面金属离子收集装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种晶圆表面金属离子收集装置，所述装置包括晶圆固定单元和扫描单元，所述晶圆固定单元用于固定晶圆，所述扫描单元用于对所述晶圆的下表面接触扫描，所述扫描单元位于所述晶圆固定单元下方。通过将金属收集溶液扫描单元设置在晶圆的下方，避免了金属收集溶液在晶圆表面呈摊开状或在扫描过程中扫描管拖不住金属收集溶液的情况，提高了检测亲水性晶圆表面金属收集的成功率；所述晶圆表面朝下，避免了FFU吹下污染物到晶圆表面上，避免了检测结果不准确；所述扫描单元还连接有在线配置金属收集溶液，可以减少人为配置中的金属收集溶液的污染，无需人员接触化学品，提高了安全性。
基本信息
专利标题 ：
晶圆表面金属离子收集装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022409723.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
CN213042885U
授权日 ：
2021-04-23
发明人 ：
李克飞何震
申请人 ：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202022409723.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/687
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-04-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN213042885U.PDF
PDF下载
