一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片
授权
摘要
本实用新型提供了一种基于铌酸锂晶体电光效应的薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片，包括：上下玻璃基板，TFT阵列模块，铌酸锂电光调制模块，透明电极以及滤光片；其中，所述铌酸锂电光调制模块包括铌酸锂晶体层与电介质反射镜矩阵，所述透明电极靠近铌酸锂电光调制模块的一侧，形成黑矩阵，黑矩阵与铌酸锂电光调制模块中的电介质反射镜矩阵呈位置互补关系。本实用新型将传统TFT‑LCD结构中的液晶调光模块替换为铌酸锂电光调制模块，由于调光过程中不需要分子转动，因此具有更高的响应速度，且铌酸锂材料本身具有更高的折射率，这均有利于器件的进一步优化。再者，省略了传统光电显示芯片中灌晶这一繁琐的操作，简化了工艺步骤，节约了成本。
基本信息
专利标题 ：
一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022411620.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN213457578U
授权日 ：
2021-06-15
发明人 ：
郭清仪葛士军
申请人 ：
南京南辉智能光学感控研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区麒麟科技创新园天骄路100号江苏南京侨梦苑B栋12楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022411620.8
主分类号 ：
G02F1/03
IPC分类号 ：
G02F1/03
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/03
基于陶瓷或电—光晶体的，例如，显示泡克耳斯或科尔效应的
法律状态
2021-06-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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