一种半导体器件的金属互连结构及半导体器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体器件的金属互连结构及半导体器件，对应化合物半导体器件的接线盘设置第一金属柱、第二金属柱，使本实用新型适用于倒装式封装，基于倒装式封装结构，能增加单位面积内的I/O数量，缩短的互连，进而减小电感、电阻及电容，性能提高；而且封装后的面积更小。本实用新型利用第一金属柱、第二金属柱作为半导体器件与基材的连接机构，具有较佳抗电迁移和导热能力，进一步提升高密度、低阻抗、低寄生电容、低电感，低能耗，低信噪比等优点，提高半导体器件特性以及散热效果。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件的金属互连结构及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022422621.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN214012937U
授权日 ：
2021-08-20
发明人 ：
邱宗德林志东郭佳衢武吉龙
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
连耀忠
优先权 ：
CN202022422621.2
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2021-08-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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