一种PIN结构核电池
授权
摘要
本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种PIN结构核电池，包括半导体材料衬底，所述半导体材料衬底的上部由下而上依次形成P型半导体层、阳极金属层、放射性同位素层；所述半导体材料衬底的下部形成沟槽结构，所述沟槽结构的上面形成N型半导体层，所述沟槽结构的下面形成阴极金属层；其中，所述N型半导体层位于所述半导体材料衬底下方。本实用新型提供的PIN结构核电池，解决了I区过长导致的电子空穴对扩散问题，可以提高对放射性同位素源的探测效率。
基本信息
专利标题 ：
一种PIN结构核电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022442243.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
CN214012523U
授权日 ：
2021-08-20
发明人 ：
张玲玲
申请人 ：
无锡华普微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道202号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
殷红梅
优先权 ：
CN202022442243.4
主分类号 ：
G21H1/06
IPC分类号 ：
G21H1/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G21
核物理；核工程
G21H
从放射源取得能量；其他地方不包括的放射源辐射的应用；宇宙射线的利用
G21H1/00
从放射源取得电能的装置，例如，从放射性同位素
G21H1/06
辐射运用于不同半导体材料结的电池
法律状态
2021-08-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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