一种抽插式平面靶轭铁结构
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摘要
本实用新型公开了一种抽插式平面靶轭铁结构，包括：靶材；靶体，靶体与靶材相连，靶体限定有容纳腔，靶体的顶端设有插入口，靶体的底端设有顶起孔，插入口和顶起孔分别与容纳腔连通，顶起孔处可拆卸安装有密封堵头，容纳腔的远离靶材的内壁上分别设有第一导块和第二导块，第一导块邻近顶起孔，第二导块邻近插入口；轭铁，轭铁的靠近靶材的表面上固定安装有磁铁，轭铁通过插入口插入到容纳腔中，轭铁的远离靶材的表面抵接在第一导块和第二导块上，且磁铁与容纳腔的靠近靶材的表面抵接。本装置中的磁铁与轭铁组装成一体，整体通过插入口插入到容纳腔中或者从容纳腔中取出，不再需要拆装靶体上的其它零部件，方便快捷。
基本信息
专利标题 ：
一种抽插式平面靶轭铁结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022467936.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
CN213835521U
授权日 ：
2021-07-30
发明人 ：
汪选林
申请人 ：
深圳森丰真空镀膜有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明区马田街道马山头社区钟表基地森丰大厦101
代理机构 ：
北京盛凡智荣知识产权代理有限公司
代理人 ：
鲍敬
优先权 ：
CN202022467936.9
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2021-07-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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