一种C频段单本振双极化双输出抑制手机5G基站电路结构
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摘要
本实用新型提供一种C频段单本振双极化双输出抑制手机5G基站电路结构，包括：第一极化探针、第二极化探针、振荡器、两个第一放大器、两个第二放大器、两个第三放大器、两个第四放大器、两个第一滤波器、两个混合器、两个第二滤波器和巨阵电路，第一极化探针的输出端与一第一放大器的输入端连接，第一放大器的输出端与一第二放大器的输入端连接，第二放大器的输出端与一第三放大器的输入端连接，第三放大器的输出端与一第一滤波器的输入端连接，第一滤波器的输出端与一第四放大器的输入端连接，通过第一滤波器衰减并滤除3.3‑3.6GHZ的5G网络信号，再通过第二滤波器衰减并滤除950‑1450MHZ之外的中频信号，使干扰信号被滤除。因此能得到很好的网络信号。
基本信息
专利标题 ：
一种C频段单本振双极化双输出抑制手机5G基站电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022495842.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
CN213279992U
授权日 ：
2021-05-25
发明人 ：
郭印
申请人 ：
普视达（惠州）电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区陈江街道办事处东胜路8号(厂房)
代理机构 ：
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李莹
优先权 ：
CN202022495842.2
主分类号 ：
H04Q1/30
IPC分类号 ：
H04Q1/30 H04Q1/54
法律状态
2021-05-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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