一种MOS管高压供电控制电路
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型提供一种MOS管高压供电控制电路,输入端VCC1均与二极管D1的负极、电阻R1的一端和MOS管Q1的源极连接,二极管D1的正极均与电阻R1的另一端、电阻R2的一端和MOS管Q1的栅极连接,MOS管Q1的漏极均与电阻R5的一端和输出端VCC2连接,电阻R5的另一端接地,电阻R2的另一端与MOS管Q2的漏极连接,MOS管Q2的栅极均与电阻R3的一端和电阻R4的一端连接,电阻R3的另一端与Port1端口连接,电阻R4的另一端和MOS管Q2的源极均接地,Port1端口用于向电路输入控制信号。本实用新型解决了目前在高频电路中使用继电器控制电源,有比较大的电磁辐射,影响高接收灵敏度电路的正常工作;继电器体积较大,不便于使用;继电器控制速度不能满足时分复用系统对开关速度的要求的问题。

基本信息
专利标题 :
一种MOS管高压供电控制电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022533877.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-11-05
授权号 :
CN213637497U
授权日 :
2021-07-06
发明人 :
艾江福
申请人 :
成都新息科技有限公司
申请人地址 :
四川省成都市高新区中和大道三段281号1栋1层5号
代理机构 :
成都嘉企源知识产权代理有限公司
代理人 :
胡建超
优先权 :
CN202022533877.0
主分类号 :
H02M3/157
IPC分类号 :
H02M3/157  
法律状态
2021-10-19 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H02M 3/157
登记生效日 : 20211008
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 成都新息科技有限公司
变更后权利人 : 北京理工宇天科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 610000 四川省成都市高新区中和大道三段281号1栋1层5号
变更后权利人 : 100081 北京市海淀区中关村南大街乙12号院1号楼8层905
2021-07-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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