钌接触件的抗粘连增强
公开
摘要
一种制造MEMS装置的方法。所述MEMS装置具有空腔，横梁将在所述空腔中移动以改变所述装置的电容。在已发生大部分装置堆积之后，去除牺牲材料以在所述MEMS装置空腔内释放所述横梁。此后，暴露的钌接触件暴露于氟以进行以下中的任一者：掺杂暴露的钌且减少表面粘附力，在暴露的钌表面上形成氟化自组装单层，在暴露的钌上沉积纳米钝化膜，或改变所述钌的表面粗糙度。归因于氟处理，存在低电阻、耐久的接触件，并且所述接触件不太易受粘连事件影响。
基本信息
专利标题 ：
钌接触件的抗粘连增强
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114269683A
申请号 ：
CN202080056073.6
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-08-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
詹姆斯·D·赫夫曼迈克尔·雷诺柴约蒂·高希·达斯蒂德兰斯·巴伦威利布罗德斯·G·M·范·登·赫克
申请人 ：
QORVO美国公司
申请人地址 ：
美国北卡罗莱纳州
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杜兆东
优先权 ：
CN202080056073.6
主分类号 ：
B81C1/00
IPC分类号 ：
B81C1/00 B81B7/02
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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