生长单晶硅锭时动态状态图表的产生及使用
实质审查的生效
摘要
本发明公开用于生长单晶硅锭的方法。可在制造单晶硅锭期间产生并使用监测多个锭生长参数的动态状态图表。在一些实施例中，所述动态状态图表是具有多个区段的动态圆形图图表，其中每一区段监测锭生长参数。
基本信息
专利标题 ：
生长单晶硅锭时动态状态图表的产生及使用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114341407A
申请号 ：
CN202080061399.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-07-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·扎尔多尼G·阿戈斯蒂尼S·哈林格
申请人 ：
环球晶圆股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
江葳
优先权 ：
CN202080061399.8
主分类号 ：
C30B15/20
IPC分类号 ：
C30B15/20 C30B29/06 C30B15/02 C30B15/10 C30B15/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20200728
申请日 : 20200728
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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