热诱导弓曲减少的半导体结构
实质审查的生效
摘要
一种单片微波集成电路(MMIC)结构，其具有导热衬底；设置在衬底的上表面的第一部分上的半导体层；设置在半导体层上的有源台面形半导体器件层；以及直接设置在衬底的上表面的第二部分上的无源电气器件。
基本信息
专利标题 ：
热诱导弓曲减少的半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114365277A
申请号 ：
CN202080062864.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-09-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·C·迪哈希J·瓦扬古
申请人 ：
雷声公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王永建
优先权 ：
CN202080062864.X
主分类号 ：
H01L23/373
IPC分类号 ：
H01L23/373 H01L23/66 H01L27/06 H01L27/07 H01L49/02 H01L29/06 H01L29/20 H01L29/778 H01L21/335
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/373
为便于冷却的器件材料选择
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/373
申请日 : 20200901
申请日 : 20200901
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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