摄像元件和摄像装置
公开
摘要
减小了包括布置在半导体基板的后表面上的光电转换单元的摄像元件的暗电流。该摄像元件包括：光电转换单元、贯通电极、电荷保持单元、后面侧高杂质浓度区域以及前面侧高杂质浓度区域。光电转换单元被布置在半导体基板的后表面上并且对入射光进行光电转换。贯通电极形成从半导体基板的后表面贯穿到前表面的形状，并且传输通过光电转换产生的电荷。电荷保持单元被布置在半导体基板的前表面上，并且保持传输的电荷。后面侧高杂质浓度区域被布置在半导体基板的后表面上的与贯通电极相邻的区域中，并且形成为杂质浓度比与半导体基板的中央部的贯通电极相邻的区域的杂质浓度更高。前面侧高杂质浓度区域被布置在半导体基板的前表面上的与贯通电极相邻的区域中，并且形成为杂质浓度比与半导体基板的中央部的贯通电极相邻的区域的杂质浓度更高。
基本信息
专利标题 ：
摄像元件和摄像装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616822A
申请号 ：
CN202080063513.0
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-07-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
古川明西田翔富樫秀晃重歳卓志福冈慎平山元纯平
申请人 ：
索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王新春
优先权 ：
CN202080063513.0
主分类号 ：
H04N5/361
IPC分类号 ：
H04N5/361 H04N5/369 H04N5/374 H01L27/146
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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