高性能高压隔离器
公开
摘要
一种集成电路(100D)包括半导体衬底(102)和位于半导体衬底上方的多个电介质层(122、128)，多个电介质层包括顶部电介质层(128D2)。金属板(132)位于顶部电介质层上方；金属环(120E)位于顶部电介质层上方并且基本上包围金属板(132)。保护涂层(141)覆盖金属环和金属板(132)。穿过保护涂层(141)形成沟槽开口(146)，沟槽开口(146)暴露了在金属板(132)和金属环(120E)之间的顶部电介质层(128D2)，沟槽开口(146)基本上包围金属板。
基本信息
专利标题 ：
高性能高压隔离器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114451069A
申请号 ：
CN202080065845.2
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-07-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·A·韦斯特T·D·博尼费尔德
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
李英
优先权 ：
CN202080065845.2
主分类号 ：
H05K1/00
IPC分类号 ：
H05K1/00 H01L23/00
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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