有机半导体层、包含所述有机半导体层的有机电子器件及其化合...
公开
摘要
本发明涉及有机半导体层和包含所述有机半导体层的有机电子器件，其中所述有机电子器件包括阳极、阴极和至少一个有机半导体层，其中所述至少一个有机半导体层包含：‑金属掺杂剂，和‑由下式(I)表示的化合物：
基本信息
专利标题 ：
有机半导体层、包含所述有机半导体层的有机电子器件及其化合物
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114502547A
申请号 ：
CN202080066556.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
埃莱娜·嘉兰加西亚本杰明·舒尔策弗拉迪米尔·乌瓦罗夫沃洛季米尔·森科维斯基
申请人 ：
诺瓦尔德股份有限公司
申请人地址 ：
德国德累斯顿
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王潜
优先权 ：
CN202080066556.4
主分类号 ：
C07D401/14
IPC分类号 ：
C07D401/14 H01L51/50 H01L51/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07D
杂环化合物
C07D401/00
杂环化合物，含有两个或更多个杂环，以氮原子作为仅有的杂环原子，至少有1个环是仅含有1个氮原子的六元环
C07D401/14
含有3个或更多个杂环
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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