RuO4气体的产生抑制剂以及RuO...
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种RuO4气体的产生抑制剂、以及抑制RuO4气体的方法，所述RuO4气体的产生抑制剂在半导体元件的制造工序中使用，抑制使包含钌的半导体晶片与处理液接触时产生的RuO4气体。具体而言，本发明提供一种抑制剂，其为用于在半导体形成工序中抑制使包含钌的半导体晶片与处理液接触时产生的RuO4气体的RuO4气体的产生抑制剂，所述抑制剂包含由鎓离子和含溴的离子构成的鎓盐。此外，提供一种通过对在半导体形成工序中使用的钌处理液或含钌的液体添加该抑制剂而抑制产生的RuO4气体的方法。
基本信息
专利标题 ：
RuO4气体的产生抑制剂以及RuO4气体的产生抑制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114514598A
申请号 ：
CN202080068040.3
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐藤伴光吉川由树下田享史根岸贵幸
申请人 ：
株式会社德山
申请人地址 ：
日本山口县周南市
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
吕琳
优先权 ：
CN202080068040.3
主分类号 ：
H01L21/321
IPC分类号 ：
H01L21/321 H01L21/3213 H01L23/532 C07C211/63 C07D207/04 C07D487/10 C07F9/54 C07C381/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
H01L21/321
后处理
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/321
申请日 : 20200923
申请日 : 20200923
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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