开关电容电路
实质审查的生效
摘要

本发明涉及开关电容电路,其包括基于金属氧化物半导体场效应晶体管的开关,所述开关包括:第一金属氧化物半导体场效应晶体管(1),其具有栅极、源极和漏极,其中所述源极连接到第一节点(T1)且所述漏极连接到第二节点(T2),或者所述漏极连接到第一节点(T1)且所述源极连接第二节点(T2);第二金属氧化物半导体场效应晶体管(2),其具有栅极、源极和漏极,其中所述源极连接到所述漏极,并且源极和漏极一起连接到第二节点(T2);第一电容器(C1),其连接在第一节点(T1)和第三节点(T3)之间;以及第二电容器(C2),其连接在第二节点(T2)和第三节点(T3)之间。

基本信息
专利标题 :
开关电容电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114556785A
申请号 :
CN202080068930.4
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2020-09-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李成汉
申请人 :
英尼维顺股份有限公司
申请人地址 :
瑞士苏黎世
代理机构 :
广州川墨知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王丙强
优先权 :
CN202080068930.4
主分类号 :
H03K17/16
IPC分类号 :
H03K17/16  H03K17/687  G11C27/02  
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 17/16
申请日 : 20200930
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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