半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体器件，包括：具有主面、且包括器件区域的第一导电型半导体层；在上述器件区域中形成在上述主面的表层部的第二导电型基极区域；在与上述半导体层之间划分出沟道区域的第一导电型源极区域，其从上述基极区域的边缘部向内方隔开间隔地形成在上述基极区域的表层部；形成在所述基极区域的表层部的第二导电型基极接触区域；在与上述基极区域之间划分出漂移区域的第一导电型阱区域，其在上述器件区域中与上述基极区域隔开间隔地形成在上述主面的表层部；形成在上述阱区域的表层部的第一导电型漏极区域；形成在上述阱区域的表层部且与上述漏极区域电连接的第二导电型杂质区域；和栅极构造，其具有在上述主面上覆盖上述沟道区域的栅极绝缘膜和在上述栅极绝缘膜上与上述沟道区域相对且与上述源极区域和上述基极接触区域电连接的栅极电极。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556560A
申请号 ：
CN202080072377.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
幸忠男石田刚志
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN202080072377.1
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20201125
申请日 : 20201125
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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