过光量检测电路、光接收元件和电子设备
公开
摘要
根据本公开的过光量检测电路(1)包括MOS晶体管和高阻抗元件(Ca)。MOS晶体管(Mn1)的源极连接到图像传感器的垂直信号线(VSL)。高阻抗元件(Ca)连接到MOS晶体管(Mn1)的漏极。过光量检测电路(1)基于由MOS晶体管(Mn1)的栅极电位定义的电位来检测垂直信号线(VSL)的电位波动，并且将在MOS晶体管(Mn1)的漏极和高阻抗元件(Ca)之间的接点的电位作为表示过光量检测结果的信号输出。
基本信息
专利标题 ：
过光量检测电路、光接收元件和电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586339A
申请号 ：
CN202080073189.0
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
楠田绚一郎
申请人 ：
索尼半导体解决方案公司
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
瓮芳
优先权 ：
CN202080073189.0
主分类号 ：
H04N5/369
IPC分类号 ：
H04N5/369 H04N5/374 H04N5/378 H01L27/146
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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