用于埋式电源轨的CFET电力输送网络
公开
摘要
一种半导体器件包括第一电源轨、第一电力输入结构、电路和第一中段轨。该第一电源轨形成在衬底上的第一隔离沟槽内的第一轨开口中。该第一电力输入结构被配置为与半导体器件外部的电源的第一端子连接以从该电源接收电力。该电路在衬底上由第一电源轨与第一电力输入结构之间的层形成。第一中段轨由形成该电路的这些层中的一层或多层形成。第一中段轨被配置为将来自第一电力输入结构的电力输送到第一电源轨，并且第一电源轨将电力提供给该电路以供操作。
基本信息
专利标题 ：
用于埋式电源轨的CFET电力输送网络
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631180A
申请号 ：
CN202080073454.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-08-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
拉尔斯·利布曼杰弗里·史密斯丹尼尔·沙内穆加梅安东·德维利耶
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
康建峰
优先权 ：
CN202080073454.5
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L23/535 H01L23/522 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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