半导体装置以及使用其的整流元件、交流发电机
公开
摘要
提供一种半导体装置，具备齐纳二极管内置MOSFET，能够同时实现浪涌耐受量提高和低导通电阻。在具备齐纳二极管内置MOSFET的半导体装置中，特征在于具备：MOSFET进行动作的有源区域；以及周边区域，配置于所述有源区域的外侧，保持芯片周边部的耐压，所述有源区域具有：第1区域，包括芯片中心部；以及第2区域，配置于所述第1区域的外侧，所述第1区域的耐压低于所述第2区域的耐压以及所述周边区域的耐压。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置以及使用其的整流元件、交流发电机
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586178A
申请号 ：
CN202080073752.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-10-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
白石正树坂野顺一
申请人 ：
株式会社日立功率半导体
申请人地址 ：
日本茨城县
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
金光华
优先权 ：
CN202080073752.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/866 H01L27/06 H01L29/06 H01L23/48 H01L25/16 H02M7/217
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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