一种多芯片并联IGBT模块可靠性综合评价方法及系统
授权
摘要
本发明公开了一种多芯片并联IGBT模块可靠性综合评价方法及系统，其中，方法的实现包括：建立多芯片并联IGBT模块栅极‑发射极电压可靠性模型，并进行芯片疲劳故障测试，选取栅极‑发射极电压为故障特征量；建立多芯片并联IGBT模块跨导的可靠性模型，并进行键合线脱落故障测试，选取模块传输特性曲线为故障特征量；用皮尔逊相关系数表征IGBT模块健康度，分别计算不同程度下的芯片疲劳和键合线脱落故障状态下的健康度PPMCCC和PPMCCB；依据PPMCCC和PPMCCB综合评价多芯片并联IGBT模块可靠性。通过本发明能同时监测IGBT模块中的芯片疲劳和键合线脱落故障，且计算简单、综合特性好，能实现多芯片IGBT模块整体可靠性评估。
基本信息
专利标题 ：
一种多芯片并联IGBT模块可靠性综合评价方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112818622A
申请号 ：
CN202110012177.3
公开（公告）日 ：
2021-05-18
申请日 ：
2021-01-06
授权号 ：
CN112818622B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
何怡刚王晨苑李猎杜博伦张慧何鎏璐
申请人 ：
武汉大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌区八一路299号
代理机构 ：
湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人 ：
张宇
优先权 ：
CN202110012177.3
主分类号 ：
G06F30/367
IPC分类号 ：
G06F30/367 G06F119/02 G06F119/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/367
设计验证，例如，采用仿真，集成电路仿真程序，直接方法或松弛方法
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-06-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/367
申请日 : 20210106
申请日 : 20210106
2021-05-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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