一种失配结构的太阳能多结电池及制作方法
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摘要

本发明公开了一种失配结构的太阳能多结电池及制作方法,至少包括依次叠层设置的第一太阳能电池组、晶硅衬底以及第二太阳能电池组,晶硅衬底的上表面设置有第一结合结构以及晶硅衬底的下表面设置有第二结合结构,第一结合结构和第二结合结构均包括多个间隔设置的凸柱,晶硅衬底的上表面通过第一结合结构与第一太阳能电池组结合,晶硅衬底的下表面通过第二结合结构与第二太阳能电池组结合,凸柱顶端受到应力施压,可以存在一定程度的弯曲变形,应力得到释放,防止晶硅衬底、第一太阳能电池组或者第二太阳能电池组因应力作用而发生翘曲的情况发生,降低了位错等缺陷的发生,结构稳定,具有较高的能源转化效率。

基本信息
专利标题 :
一种失配结构的太阳能多结电池及制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113013275A
申请号 :
CN202110065543.1
公开(公告)日 :
2021-06-22
申请日 :
2021-01-18
授权号 :
CN113013275B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
杨文奕张小宾刘雪珍魏婷婷
申请人 :
中山德华芯片技术有限公司
申请人地址 :
广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层
代理机构 :
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 :
何嘉杰
优先权 :
CN202110065543.1
主分类号 :
H01L31/0687
IPC分类号 :
H01L31/0687  H01L31/0236  H01L31/18  
法律状态
2022-05-03 :
授权
2021-07-09 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0687
申请日 : 20210118
2021-06-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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