一种调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法
授权
摘要
本发明涉及一种调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法，MEMS麦克风包括基底、设置在基底上的振膜、及设置在振膜上的背板，基底具有空腔，调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法包括：提供等离子体化学气相沉积设备，等离子体化学气相沉积设备利用射频产生N2O等离子体，N2O等离子体穿过空腔作用在振膜上，在振膜上形成氮氧化硅层，改变MEMS麦克风的吸合电压，使得MEMS麦克风的吸合电压趋向减小分布，满足使用范围要求，提高产品良率，节约资源。
基本信息
专利标题 ：
一种调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112887895A
申请号 ：
CN202110105032.8
公开（公告）日 ：
2021-06-01
申请日 ：
2021-01-26
授权号 ：
CN112887895B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
吴庆才侯永涛
申请人 ：
苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢3楼
代理机构 ：
苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
唐静芳
优先权 ：
CN202110105032.8
主分类号 ：
H04R31/00
IPC分类号 ：
H04R31/00
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-06-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04R 31/00
申请日 : 20210126
申请日 : 20210126
2021-06-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
