一种双端发射阴极结构的相对论磁控管
授权
摘要
本发明公开了一种双端发射阴极结构的相对论磁控管,属于微波技术领域。该相对论磁控管为全腔轴向提取结构,包括阳极外壳、高频结构、能量耦合槽缝、扇形波导、同轴波导、TEM‑TM01模式变换器、输出圆波导、引导磁场线圈以及阴极结构,其中阴极结构包括两个阴极端帽、对称设置的两个发射阴极、以及中心连接导体。本发明采用虚阴极方案可以有效地解决由于互作用区间中爆炸式发射产生的等离子体所带来的脉冲缩短、频率漂移、效率降低等问题,能够有效提高相对论磁控管的输出功率和功率转换效率。
基本信息
专利标题 :
一种双端发射阴极结构的相对论磁控管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112885681A
申请号 :
CN202110118135.8
公开(公告)日 :
2021-06-01
申请日 :
2021-01-28
授权号 :
CN112885681B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
程仁杰李天明汪海洋胡标李浩周翼鸿
申请人 :
电子科技大学
申请人地址 :
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
代理机构 :
电子科技大学专利中心
代理人 :
邓黎
优先权 :
CN202110118135.8
主分类号 :
H01J23/05
IPC分类号 :
H01J23/05 H01J23/09 H01J25/55
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J23/00
H01J25/00组中各种渡越时间型电子管的零部件
H01J23/02
电极;磁控装置;屏
H01J23/04
阴极
H01J23/05
有圆柱形发射面的,如磁控管的阴极
法律状态
2022-05-03 :
授权
2021-06-18 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 23/05
申请日 : 20210128
申请日 : 20210128
2021-06-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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