集成信号处理电路的传感器及其制备方法
授权
摘要

本发明涉及传感器技术领域,尤其涉及一种集成信号处理电路的传感器及其制备方法。所述集成信号处理电路的传感器包括:第一衬底,所述第一衬底的上表面具有敏感元件;第二衬底,所述第二衬底的上表面具有由薄膜晶体管构建的信号处理电路;粘结层,位于所述第一衬底和所述第二衬底之间,用于粘结所述第一衬底的下表面与所述第二衬底的上表面或者用于粘结所述第一衬底的下表面与所述第二衬底的下表面;互连线,至少贯穿所述第一衬底和所述粘结层,用于电连接所述敏感元件与所述信号处理电路。本发明在解决了工艺兼容性问题的同时,提高集成度、信噪比并降低成本。

基本信息
专利标题 :
集成信号处理电路的传感器及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112964944A
申请号 :
CN202110123980.4
公开(公告)日 :
2021-06-15
申请日 :
2021-01-29
授权号 :
CN112964944B
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
郭小军韩磊陈苏杰唐伟
申请人 :
上海交通大学
申请人地址 :
上海市徐汇区华山路1954号
代理机构 :
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孙佳胤
优先权 :
CN202110123980.4
主分类号 :
G01R31/00
IPC分类号 :
G01R31/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/00
电性能的测试装置;电故障的探测装置;以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置;在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L21/66;线路传输系统的测试入H04B3/46)
法律状态
2022-06-14 :
授权
2021-07-02 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/00
申请日 : 20210129
2021-06-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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