一种高品质晶体培植类关键工艺环境振动控制技术分析方法

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摘要

本发明提供了一种高品质晶体培植类关键工艺环境振动控制技术分析方法，包括：针对高品质晶体培植关键生产工艺开展内部及外部环境振动测试并对测试数据进行归类整理，为精细化数值仿真分析提供数据支撑，为主动控制系统及工艺技术分析标准提供关键控制变量；进行前馈伺服主动控制系统设计，形成伺服前馈响应智能振动控制装置的解决方案；基于工艺环境振动控制技术分析标准判别减隔振系统是否达到工艺设计、生产要求，并优化伺服前馈响应智能振动控制装置的解决方案的性能。形成一套高品质培植类关键工艺环境振动控制技术分析标准，获得关键工艺内外部振源影响的分析技术和晶体生长基本规律及振动影响机理，并设计了智能化主动型伺服系统。

基本信息

专利标题：

一种高品质晶体培植类关键工艺环境振动控制技术分析方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113031669A

申请号：

CN202110185395.7

公开（公告）日：

2021-06-25

申请日：

2021-02-10

授权号：

CN113031669B

授权日：

2022-04-22

发明人：

胡明祎黄伟杜林林郭金涛许岩

申请人：

国机集团科学技术研究院有限公司

申请人地址：

北京市西城区太平街甲2号

代理机构：

北京华旭智信知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

吴鹏章

优先权：

CN202110185395.7

主分类号：

G05D19/02

IPC分类号：

G05D19/02