基于GaNHEMT器件的自激驱动与功率变换电路
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摘要
本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的自激驱动与功率变换电路。该电路采用了新型的GaN基HEMT器件，提高电路工作频率至MHz。器件采用了硅衬底，并采用了Q1和Q2双晶体管片上设计，两个晶体管共用一个晶圆，减小体积、降低成本、提升可靠性控制。器件还采用了集成式反向并联二极管结构，提升器件的反向导通特性。电路通过功率电路主变压器中的第三辅助绕组Na，采用正反馈模式的自激驱动腔自动为Q1提供驱动信号，无须控制芯片，Q1的驱动需要通过针对GaN HEMT器件特殊的驱动缓冲电路来保证其可靠驱动。电路进一步采用了集成式的高频电流逐周期检测方案，与自激驱动腔共用一个线圈，省去了电流检测电阻，实现了无损耗电流检测。
基本信息
专利标题 ：
基于GaNHEMT器件的自激驱动与功率变换电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112803784A
申请号 ：
CN202110209549.1
公开（公告）日 ：
2021-05-14
申请日 ：
2021-02-25
授权号 ：
CN112803784B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
王玉雯高潮庄紫怡吉怡悦周祥兵陈敦军
申请人 ：
扬州江新电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市广陵区龙泉路16号
代理机构 ：
江苏斐多律师事务所
代理人 ：
张佳妮
优先权 ：
CN202110209549.1
主分类号 ：
H02M3/338
IPC分类号 ：
H02M3/338 H02M1/08 H02M1/44 G01R15/14 G01R19/00
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-06-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 3/338
申请日 : 20210225
申请日 : 20210225
2021-05-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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