剑兰花状硒化镍/硒化钴/二硒化三镍纳米复合阵列电极材料
授权
摘要
本发明公开了一种剑兰花状NiSe/CoSe/Ni3Se2纳米复合阵列电极材料及其制备方法，属于超级电容器电极材料制备技术领域。通过如下步骤制备而成：将四水合乙酸钴加入到苯甲醚和甲醇的混合溶剂中，加热溶解形成混合反应液，移入反应釜中，再放入预制的Ni3Se2纳米线阵列前驱体，反应釜密封后热处理，合成兼有一维和二维结构特点的剑兰花状NiSe/CoSe/Ni3Se2纳米复合阵列电极材料。所得电极材料具有优异的电化学性能，在电流密度为0.5 A/g时的比电容可达到1666 F/g，即使在电流密度达到2.5 A/g时，其比电容仍可达到944 F/g。
基本信息
专利标题 ：
剑兰花状硒化镍/硒化钴/二硒化三镍纳米复合阵列电极材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113003547A
申请号 ：
CN202110211087.7
公开（公告）日 ：
2021-06-22
申请日 ：
2021-02-25
授权号 ：
CN113003547B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
杜卫民刘欣朱琳姚聪魏成振张道军
申请人 ：
安阳师范学院
申请人地址 ：
河南省安阳市弦歌大道436号
代理机构 ：
郑州联科专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
时立新
优先权 ：
CN202110211087.7
主分类号 ：
C01B19/00
IPC分类号 ：
C01B19/00 H01G11/24 H01G11/30 H01G11/86
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B19/00
硒；碲；其化合物
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-07-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 19/00
申请日 : 20210225
申请日 : 20210225
2021-06-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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