一种短周期低成本水热法制备半水硫酸钙晶须的方法
授权
摘要
一种短周期低成本水热法制备半水硫酸钙晶须的方法，对水进行磁化预处理；采用二水硫酸钙和磁化处理过的水配置硫酸钙料浆；将配置好的料浆装入高压反应釜中水热合成，之后取出进行抽滤、脱水、烘干，得到半水硫酸钙晶须，本发明通过水热合成制备硫酸钙晶须，在120～125℃条件下保温5～7min即可制备出半水硫酸钙晶须材料。相比常规水热工艺，本发明缩短保温时间缩短到1/6左右，制备的晶须平均直径1.1～1.2μm，长度70～80μm，长径比58‑73，结晶度大于91％。极大地降低了生产成本，提高了晶须质量。
基本信息
专利标题 ：
一种短周期低成本水热法制备半水硫酸钙晶须的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113046832A
申请号 ：
CN202110261713.3
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2021-03-10
授权号 ：
CN113046832B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
卫亚儒王宇斌何廷树陈畅毛欣钰马晓晓华开强王雯雯林星彤李亮
申请人 ：
西安建筑科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔路13号
代理机构 ：
西安智大知识产权代理事务所
代理人 ：
段俊涛
优先权 ：
CN202110261713.3
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C30B29/62 C30B7/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/46
申请日 : 20210310
申请日 : 20210310
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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