半导体结构的轮廓的判断方法
授权
摘要
本发明公开了一种半导体结构的轮廓的判断方法，所述方法包括：获取电子束的最佳倾斜角度后，使用所述电子束以所述最佳倾斜角度照射所述半导体结构的侧壁，以得到所述半导体结构的侧壁在垂直于所述电子束入射方向的平面内的正投影的量测宽度；并基于所述量测宽度判断所述半导体结构的底部是否存在颈缩。本发明的判断方法无需破坏晶圆，即可以通过在线量测准确判断半导体结构的底部是否存在颈缩，耗时较少，且无需破坏晶圆，可以明显节约成本，判断结果与切片量测结构关联度更高，判断结构准确性高。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的轮廓的判断方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113053771A
申请号 ：
CN202110284726.2
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2021-03-17
授权号 ：
CN113053771B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
金若兰
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN202110284726.2
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20210317
申请日 : 20210317
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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