一种具有热障涂层的多节式炭炭复合材料坩埚及其制备方法和应...
授权
摘要
本发明公开了一种具有热障涂层的多节式炭炭复合材料坩埚及其制备方法和应用，所述制备方法，包括如下步骤：制备埚底、埚身，所述埚底具有连接上部，所述埚身具有连接下部，先将埚底连接上部与埚身连接下部的部位，均采用磷酸二氢铝溶液涂刷获得底涂层，然后再于底涂层的表面涂刷热障涂层浆料，再将涂刷了热障涂层浆料的埚底与埚身进行热处理，最后将热处理后的埚底与埚身连接即得具有热障涂层的多节式炭炭复合材料坩埚；所述埚底与埚身连接后，埚底的连接上部与埚身的连接下部共同形成炭炭复合材料坩埚的连接处，所述连接处的高度为30～110mm。该坩埚用于单晶硅拉制，有效地提高了硅棒拉制的提拉速度，降低了硅棒拉制生产时坩埚的使用成本。
基本信息
专利标题 ：
一种具有热障涂层的多节式炭炭复合材料坩埚及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113061979A
申请号 ：
CN202110294077.4
公开（公告）日 ：
2021-07-02
申请日 ：
2021-03-19
授权号 ：
CN113061979B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
朱苏华周娩红
申请人 ：
湖南世鑫新材料有限公司
申请人地址 ：
湖南省株洲市天元区仙月环路899号新马动力创新园2-1期D栋研发厂房
代理机构 ：
长沙市融智专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
钟丹
优先权 ：
CN202110294077.4
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10 C30B29/06 C04B35/66 C04B35/48 C04B41/87
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-07-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/10
申请日 : 20210319
申请日 : 20210319
2021-07-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
