一种石墨烯-二氧化钒超材料吸收器及可调谐太赫兹器件

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摘要

本发明涉及电磁超材料领域，特别是一种石墨烯‑二氧化钒超材料吸收器及可调谐太赫兹器件。该超材料吸收器具有多层结构，按照自上至下的结构顺序，超材料吸收器包括：二氧化钒谐振器阵列、连续石墨烯层、Topas介质层，以及金属层。其中，二氧化钒谐振器阵列包括沿水平面呈阵列排布的多个由二氧化钒材料制备的谐振器单元，谐振器单元呈一体式的工字型，每个谐振器单元与水平面的X轴方向具有小于90°的夹角。连续石墨烯层由单层碳原子排列构成；二氧化钒谐振器阵列贴合在连续石墨层的上表面。Topas介质层位于连续石墨烯层下方。金属层位于Topas介质层下方。该器件克服了传统超材料吸收器可调谐性差，功能单一，性能指标不足的缺点。

基本信息

专利标题：

一种石墨烯-二氧化钒超材料吸收器及可调谐太赫兹器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113078474A

申请号：

CN202110367173.7

公开（公告）日：

2021-07-06

申请日：

2021-04-06

授权号：

CN113078474B

授权日：

2022-06-07

发明人：

王鑫王俊林刘苏雅拉图

申请人：

内蒙古大学

申请人地址：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西路235号

代理机构：

合肥市泽信专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

潘飞

优先权：

CN202110367173.7

主分类号：

H01Q15/00

IPC分类号：

H01Q15/00 H01Q17/00