一种多环导磁柱霍尔推力器磁路结构
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摘要
一种多环导磁柱霍尔推力器磁路结构,包含底板、内铁芯、磁极片、N组通道磁屏环和若干个导磁柱;内铁芯和N组通道磁屏环由内至外同心设置,在相邻两个通道磁屏环之间以及第N组通道磁屏环外侧分别沿周向均匀布置有多个导磁柱,形成等效导磁环,内铁芯、N组通道磁屏环和多个导磁柱均连接在底板上,内铁芯和导磁柱周侧面均缠绕有线圈,每组通道磁屏环为顶部开口的双环结构,通道磁屏环与底板垂直,内铁芯的顶部和每个导磁环的顶部连接有磁极片,其中内铁芯和布置在内铁芯顶部的磁极片均为中空结构;每个磁极片上的通孔与对应的导磁柱间隔排布。本发明可有效提升多环霍尔推力器磁路散热能力进而降低磁路温度,提升可靠性及放电稳定性。
基本信息
专利标题 :
一种多环导磁柱霍尔推力器磁路结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113133173A
申请号 :
CN202110411674.0
公开(公告)日 :
2021-07-16
申请日 :
2021-04-16
授权号 :
CN113133173B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
李鸿刘星宇丁永杰魏立秋于达仁
申请人 :
哈尔滨工业大学
申请人地址 :
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
代理机构 :
哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
代理人 :
高志光
优先权 :
CN202110411674.0
主分类号 :
H05H1/02
IPC分类号 :
H05H1/02 F03H1/00
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法律状态
2022-05-10 :
授权
2021-08-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05H 1/02
申请日 : 20210416
申请日 : 20210416
2021-07-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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