低频交变磁场屏蔽用有机硅复合磁性材料及其制备方法
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摘要
本发明涉及低频交变磁场屏蔽用有机硅复合磁性材料及其制备方法。所述方法包括以下步骤：(1)称取原料，原料包括硅橡胶、软磁合金粉、碳纳米管、石墨烯、硅烷偶联剂和硫化剂；(2)任选地，部分软磁粉料预处理；(3)将所述原料进行混炼；(4)热挤出或热压成型及隧道硫化和二次硫化。本发明通过无机磁性粉料和有机高分子材料的特殊复合工艺，制成柔性的磁性复合材料，实现对200KHz以下低频干扰磁场的有效屏蔽。为信号传输过程中，线缆、线路的有效磁干扰防护提供一种可靠保证。同时所述有机硅复合磁性材料还具有良好导磁率、机械柔性和弹性，利于线缆的安装作业。
基本信息
专利标题 ：
低频交变磁场屏蔽用有机硅复合磁性材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112980199A
申请号 ：
CN202110419317.9
公开（公告）日 ：
2021-06-18
申请日 ：
2021-04-19
授权号 ：
CN112980199B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
吴刚许志阳
申请人 ：
闽都创新实验室
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县上街镇海西高新区科技园高新大道8号
代理机构 ：
北京科迪生专利代理有限责任公司
代理人 ：
李晓莉
优先权 ：
CN202110419317.9
主分类号 ：
C08L83/07
IPC分类号 ：
C08L83/07 C08K7/00 C08K7/18 C08K3/08 C08K3/02 C08K3/04 C08K3/22
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08L
高分子化合物的组合物
C08L83/00
由只在主链中形成含硅的，有或没有硫、氮、氧或碳键的反应得到的高分子化合物的组合物；此种聚合物的衍生物的组合物
C08L83/04
聚硅氧烷
C08L83/07
含连接到不饱和脂族基团的硅的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-07-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C08L 83/07
申请日 : 20210419
申请日 : 20210419
2021-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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