一种用于PVT法制备晶体的反应器组件及其使用方法和应用
授权
摘要
本申请公开了一种用于PVT法制备晶体的反应器组件，属于半导体材料制备领域。该反应器组件包括：反应腔，所述反应腔包括原料腔和废料腔，所述废料腔的底端低于所述原料腔的底端；加热机构，所述加热机构套设在所述原料腔外侧，用于加热所述原料腔；长晶腔，所述长晶腔与所述原料腔通过气相传输通道连通，所述原料腔内的原料升华产生的原料气通过气相传输通道传输至所述长晶腔内的籽晶处长晶；平推流机构，所述平推流机构将所述原料腔内长晶过程中产生的废料移动至所述废料腔。本反应器组件能够及时将废料移动至废料腔，提高原料的升华速率和利用率，并且减少晶体的缺陷。
基本信息
专利标题 ：
一种用于PVT法制备晶体的反应器组件及其使用方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113215654A
申请号 ：
CN202110482795.4
公开（公告）日 ：
2021-08-06
申请日 ：
2021-04-30
授权号 ：
CN113215654B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
刘鹏飞刘星刘家朋李加林
申请人 ：
山东天岳先进科技股份有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市槐荫区天岳南路99号
代理机构 ：
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
冯妙娜
优先权 ：
CN202110482795.4
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-08-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 23/00
申请日 : 20210430
申请日 : 20210430
2021-08-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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