一种从掺锗废旧光纤中回收和利用锗的方法
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摘要
本发明公开了一种从掺锗废旧光纤中回收和利用锗的方法。其包括以下步骤：（1）将废旧掺锗光纤进行破碎和球磨；（2）将球磨后光纤在温度为600‑800℃条件下焙烧；（3）将焙烧后光纤用摩尔浓度为0.025mol/L‑0.3mol/L的四硼酸钠溶液浸出后过滤；（4）将浸出后过滤液中的硅离子浓度稀释至0.5‑2mol/L，然后加入硅去除试剂反应后过滤除杂质硅元素；（5）以铂片为阳极，液态金属为阴极，采用电沉积法从除硅后的浸出液中制备多晶锗薄膜。本发明实现了从废旧光纤中锗的回收和利用，具有方法简单，成本低、对环境友好等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种从掺锗废旧光纤中回收和利用锗的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113215420A
申请号 ：
CN202110483190.7
公开（公告）日 ：
2021-08-06
申请日 ：
2021-04-30
授权号 ：
CN113215420B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
张承龙徐秋雨王瑞雪马恩白建峰王景伟
申请人 ：
上海第二工业大学
申请人地址 ：
上海市浦东新区金海路2360号
代理机构 ：
上海正旦专利代理有限公司
代理人 ：
王洁平
优先权 ：
CN202110483190.7
主分类号 ：
C22B41/00
IPC分类号 ：
C22B41/00 C22B1/02 C22B7/00 C30B28/04 C30B29/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C22
冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理
C22B
金属的生产或精炼；原材料的预处理
C22B41/00
锗的提取
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-08-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C22B 41/00
申请日 : 20210430
申请日 : 20210430
2021-08-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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