高动态范围CMOS图像传感器设计
授权
摘要
本申请案涉及高动态范围CMOS图像传感器设计。一种像素单元包含第一子像素及多个第二子像素。每一子像素包含光电二极管以响应于入射光而光生图像电荷。图像电荷通过第一转移晶体管从所述第一子像素转移到浮动扩散部。图像电荷通过多个第二转移晶体管从所述多个第二子像素转移到所述浮动扩散部。衰减层安置在所述第一子像素上方。所述第一子像素通过所述衰减层接收所述入射光。所述多个第二子像素在不行进通过所述衰减层的情况下接收所述入射光。双浮动扩散部DFD晶体管耦合到所述浮动扩散部。电容器耦合到所述DFD晶体管。
基本信息
专利标题 ：
高动态范围CMOS图像传感器设计
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113810635A
申请号 ：
CN202110569734.1
公开（公告）日 ：
2021-12-17
申请日 ：
2021-05-25
授权号 ：
CN113810635B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
代铁军马渕圭司高哲
申请人 ：
豪威科技股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘媛媛
优先权 ：
CN202110569734.1
主分类号 ：
H04N5/355
IPC分类号 ：
H04N5/355 H04N5/335 H04N5/3745 H04N5/378 H04N5/225
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-01-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04N 5/355
申请日 : 20210525
申请日 : 20210525
2021-12-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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