非易失性存储器及其导电细丝产生方法、设定/重置方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种非易失性存储器及其导电细丝产生方法、设定/重置方法。该非易失性存储器包括存储器模块阵列以及外围电路,每一个存储器模块均包括存储器单元阵列、具有参考单元阵列的放大电路以及与存储器单元连通的行、列地址译码电路。每一个存储器模块可以做到更小的尺寸。这样的存储器模块阵列使得存储器具有更加紧凑的低阻态电阻和高阻态电阻分布。本发明的非易失性存储器的存储器单元中导电细丝产生方法及设定/重置方法,在向存储单元的第一电极和第二电极之间施加电压脉冲或者电流脉冲的同时,叠加施加信号脉冲。信号脉冲能够加速氧原子或者氧空位的移动,减少了对存储单元的结构损伤,减少存储区单元的滞留,提高器件的可循环性。
基本信息
专利标题 :
非易失性存储器及其导电细丝产生方法、设定/重置方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114267393A
申请号 :
CN202110615514.8
公开(公告)日 :
2022-04-01
申请日 :
2021-06-02
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
季明华张汝京
申请人 :
青岛昇瑞光电科技有限公司
申请人地址 :
山东省青岛市黄岛区山王河路1088号
代理机构 :
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
高园园
优先权 :
CN202110615514.8
主分类号 :
G11C16/08
IPC分类号 :
G11C16/08 G11C16/10 G11C7/06 G11C7/18 H01L27/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/08
地址电路;译码器;字线控制电路
法律状态
2022-04-19 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/08
申请日 : 20210602
申请日 : 20210602
2022-04-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载