具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管
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摘要
本发明公开了一种具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管，涉及电子元器件技术领域。所述二极管包括半绝缘衬底层，所述半绝缘衬底层上表面的中部形成有钝化层，钝化层的左右两侧分别形成有重掺杂GaAs层，左右两侧的所述重掺杂GaAs层上内嵌有欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层的上表面高于所述重掺杂GaAs层的上表面，不具有欧姆接触金属层的重掺杂GaAs层的上表面形成有低掺杂GaAs层，左侧的所述重掺杂GaAs层以及低掺杂GaAs层与对应的右侧的重掺杂GaAs层以及低掺杂GaAs层之间的距离从下到上逐渐减小，使得在二极管的中间形成正八字型的隔离槽结构。所述二极管可有效的降低二极管在高频工作时候的电容寄生效应。
基本信息
专利标题 ：
具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113345953A
申请号 ：
CN202110623108.6
公开（公告）日 ：
2021-09-03
申请日 ：
2021-06-04
授权号 ：
CN113345953B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
李晋
申请人 ：
厦门芯辰微电子有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中路1694号万翔国际商务中心2号楼南楼604
代理机构 ：
河北冀华知识产权代理有限公司
代理人 ：
王占华
优先权 ：
CN202110623108.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/872
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2021-09-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210604
申请日 : 20210604
2021-09-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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