在读取期间的MRAM中的信号保留
实质审查的生效
摘要
本发明题为“在读取期间的MRAM中的信号保留”。本发明描述了用于读取MRAM存储器单元的装置和技术。在交叉点存储器阵列中，每个导线诸如位线或字线连接到晶体管对，该晶体管对包括并联的pMOSFET与nMOSFET。在选择要读取的存储器单元时，可使用该pMOSFET将第一导线的电压上拉同时使用该nMOSFET将第二导线的电压下拉到例如0V。这使该选择器接通时的电容最小化。此外，在读取所选择的存储器单元时，该第一导线的该并联nMOSFET可接通同时该pMOSFET保持导通。该nMOSFET增加电阻，该电阻抵消该pMOSFET的减小的电阻，以允许准确感测跨该存储器单元的该电压。
基本信息
专利标题 ：
在读取期间的MRAM中的信号保留
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388027A
申请号 ：
CN202110629807.1
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-06-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
W·帕金森J·奥图尔N·富兰克林T·特伦特
申请人 ：
桑迪士克科技有限责任公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
袁策
优先权 ：
CN202110629807.1
主分类号 ：
G11C11/408
IPC分类号 ：
G11C11/408 G11C11/4094
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/408
寻址电路
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/408
申请日 : 20210607
申请日 : 20210607
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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