在读取期间的MRAM中的信号放大
实质审查的生效
摘要
本发明题为“在读取期间的MRAM中的信号放大”。本发明描述了用于读取MRAM存储器单元的装置和技术。在交叉点存储器阵列中，每个导线诸如位线或字线连接到晶体管对，该晶体管对包括并联的pMOSFET与nMOSFET。在选择要读取的存储器单元时，可使用该pMOSFET将第一导线的电压上拉同时使用该nMOSFET将第二导线的电压下拉到例如0V。这使该选择器接通时的电容最小化。此外，在读取所选择的存储器单元时，该第一导线的该并联nMOSFET可接通同时该pMOSFET断开。nMOSFET提供较高的电阻来代替pMOSFET的减小的电阻，以放大感测电路处的信号，从而允许准确感测存储器单元两端的电压。
基本信息
专利标题 ：
在读取期间的MRAM中的信号放大
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388022A
申请号 ：
CN202110665782.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-06-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
W·帕金森J·奥图尔N·富兰克林T·特伦特
申请人 ：
桑迪士克科技有限责任公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐东升
优先权 ：
CN202110665782.0
主分类号 ：
G11C11/16
IPC分类号 ：
G11C11/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/16
应用磁自旋效应的存储元件的
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/16
申请日 : 20210616
申请日 : 20210616
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
