具有反转的MRAM元件竖直取向的改进的MRAM交叉点存储...
实质审查的生效
摘要
本发明题为“具有反转的MRAM元件竖直取向的改进的MRAM交叉点存储器”。在具有交叉点结构的存储器阵列中，在每个交叉点结处，可编程电阻式存储器元件诸如MRAM设备与阈值开关选择器诸如双向阈值开关串联连接。在具有此类存储器单元的双层交叉点结构中，一层中的MRAM设备相对于另一层中的MRAM设备被反转。当阈值开关选择器在感测操作中首次接通以更快速地耗散时，这可以允许跨MRAM设备施加的瞬态电压尖峰，从而降低在可以感测到所存储的数据状态之前改变所存储的数据状态的风险。
基本信息
专利标题 ：
具有反转的MRAM元件竖直取向的改进的MRAM交叉点存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388023A
申请号 ：
CN202110681620.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-06-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
W·帕金森J·奥图尔N·富兰克林T·特伦特
申请人 ：
桑迪士克科技有限责任公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
李英
优先权 ：
CN202110681620.6
主分类号 ：
G11C11/16
IPC分类号 ：
G11C11/16 H01L27/22 H01L43/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/16
应用磁自旋效应的存储元件的
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/16
申请日 : 20210618
申请日 : 20210618
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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