一种具备抗静电破坏的掩膜盒及其加工方法，所述掩膜盒包含一底座及多个支撑元件。底座具有一承载面，该承载面形成有一凹槽，该凹槽具有一底面。支撑元件围绕该底座的承载面并配置成支撑一掩膜。该凹槽具有一深度，该深度于该承载面至该底面之间延伸，该深度介于300μm至3400μm之间，借此削弱该承载面上微粒所受的静电力。本申请能够借由控制掩膜盒底座中的凹槽加工深度或凹槽底面表面与掩膜朝下表面之间的间距，而有效削弱掩膜残留电压对于底座表面微粒的影响，进而降低微粒被吸引至掩膜的朝下表面，避免图案区遭污染。