半导体制造设备的排出流体处理系统及方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体制造设备的排出流体处理系统，其中通过等离子体装置分解的清洁气体交替地流向增压泵的前部转子区域(主转子部)和后部转子区域(辅助转子部)，然后流向干泵，从而可以与存在于包括增压泵和干泵的真空泵内的整个区域的工艺副产物均匀地反应，提高工艺副产物的去除效率，另外，通过用马达的转速调节泵内的压力，增加通过等离子体装置分解的清洁气体停留在真空泵内的时间，从而可以增加清洁气体与工艺副产物反应的时间，进一步提高SiO2粉末的去除效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体制造设备的排出流体处理系统及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334594A
申请号 ：
CN202110782114.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-07-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李仁喆
申请人 ：
计划株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
崔龙铉
优先权 ：
CN202110782114.6
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67 B08B5/02 B08B13/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20210712
申请日 : 20210712
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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