一种高熵陶瓷基复合材料及其制备方法
授权
摘要
本发明涉及一种高熵陶瓷基复合材料及其制备方法。所述方法包括如下步骤：(1)配制包含(Tix1Zrx2Hfx3Nbx4Tax5)C高熵陶瓷粉体和酚醛树脂的高熵陶瓷料浆；(2)利用所述高熵陶瓷料浆浸渍多孔碳/碳坯体，然后依次进行固化和高温裂解的步骤，得到高熵陶瓷基复合材料中间体；(3)将步骤(2)得到的高熵陶瓷基复合材料中间体中进行液硅熔渗反应，制得高熵陶瓷基复合材料。本发明方法制备的高熵陶瓷基复合材料包含高模量、耐高温的(Tix1Zrx2Hfx3Nbx4Tax5)C基体和SiC基体，具有优异的力学和高温抗烧蚀性能。
基本信息
专利标题 ：
一种高熵陶瓷基复合材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113321510A
申请号 ：
CN202110797589.2
公开（公告）日 ：
2021-08-31
申请日 ：
2021-07-14
授权号 ：
CN113321510B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
刘伟孙同臣陈昊然杨良伟杨小健张宝鹏刘俊鹏于艺裴雨辰
申请人 ：
航天特种材料及工艺技术研究所
申请人地址 ：
北京市丰台区云岗北里40号院
代理机构 ：
北京格允知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘晓
优先权 ：
CN202110797589.2
主分类号 ：
C04B35/56
IPC分类号 ：
C04B35/56 C04B35/622 C04B35/84 C04B35/83 C04B35/80
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/56
以碳化物为基料的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-09-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/56
申请日 : 20210714
申请日 : 20210714
2021-08-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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