一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法
授权
摘要
本发明公开了一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法，属于自旋电子学领域。本发明基于在一定条件下，最强衍射束偏转角的正弦值与DM作用常数近似满足简单的线性关系，通过测量最强衍射束偏转角的正弦值来测量DM作用常数，不需要分辨自旋波波长变化，测量方法不受波长分辨率的限制，因而可以适用于更宽频率范围(20GHz到100GHz，以坡莫合金波导系统为例)的自旋波下的DM作用强度的测量，突破了传统BLS等方法对波长分辨率的限制，这对于未来研究基于界面DM作用的自旋波特别是交换自旋波有着很大的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113589205A
申请号 ：
CN202110854339.8
公开（公告）日 ：
2021-11-02
申请日 ：
2021-07-28
授权号 ：
CN113589205B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
谢丽娜沈茂康聂彦张悦王韬王鲜
申请人 ：
华中科技大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 ：
华中科技大学专利中心
代理人 ：
夏倩
优先权 ：
CN202110854339.8
主分类号 ：
G01R33/12
IPC分类号 ：
G01R33/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/12
测量物品的磁性或者固体或流体样品的磁性
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-11-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/12
申请日 : 20210728
申请日 : 20210728
2021-11-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
