用于PMOS管的反向电流抑制电路
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摘要
本发明涉及一种用于PMOS管的反向电流抑制电路，包括栅极驱动单元，第一PMOS管源极电位小于漏极电位时，所述栅极驱动单元使所述第一PMOS管栅极电位等于漏极电位，所述第一PMOS管处于反向电流抑制状态；包括衬底切换单元，所述第一PMOS管源极电位小于漏极电位时，所述衬底驱动单元将所述第一PMOS管衬底与漏极短接。本发明当PMOS管源极电位小于漏极电位时，可控制PMOS管工作反向电流抑制状态，有效保护PMOS管。
基本信息
专利标题 ：
用于PMOS管的反向电流抑制电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113572136A
申请号 ：
CN202110934157.1
公开（公告）日 ：
2021-10-29
申请日 ：
2021-08-13
授权号 ：
CN113572136B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
沈华
申请人 ：
无锡市晶源微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区106-C地块A幢209室
代理机构 ：
北京天盾知识产权代理有限公司
代理人 ：
张彩珍
优先权 ：
CN202110934157.1
主分类号 ：
H02H7/20
IPC分类号 ：
H02H7/20 H02H11/00 H02H3/20
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-11-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02H 7/20
申请日 : 20210813
申请日 : 20210813
2021-10-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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