体晶片开关隔离
实质审查的生效
摘要
本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及体晶片开关隔离结构及其制造方法。该结构包括：体衬底材料；位于体衬底材料上的有源区；与有源区邻近的非有源区；以及非晶材料，其覆盖与有源区邻近的非有源区中的体衬底材料。
基本信息
专利标题 ：
体晶片开关隔离
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361108A
申请号 ：
CN202110935855.3
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-08-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
U·拉纳A·K·斯塔珀S·M·尚克B·T·库奇
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
林莹莹
优先权 ：
CN202110935855.3
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20210816
申请日 : 20210816
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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