一种钒掺杂单晶氧化钨电致变色和储能材料及制备方法
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摘要

本发明公开了一种钒掺杂单晶氧化钨电致变色和储能材料,具有多孔单晶纳米线结构,纳米棒直径为15‑40nm,纳米线定向生长。本发明还公开了一种钒掺杂单晶氧化钨电致变色和储能材料的制备方法,以磁控溅射的氧化钨纳米颗粒为仔晶层,结合水热法定向生长获得钒掺杂密排六方结构氧化钨纳米线,本发明的纳米线以仔晶层为形核生长点沿着密排六方三氧化钨的c轴定向生长获得多孔单晶纳米线阵列,钒均匀掺杂在纳米线中,钒的掺杂引起晶面间距增大和并提高了氧空位含量,形成钒氧键,获得了优异的电致变色和储能双功能性能,可以在不同电压下实现透明和深蓝色的迅速转变,并对应电量的储存和释放,具有较大的面电容和良好的循环稳定性和倍率性能。

基本信息
专利标题 :
一种钒掺杂单晶氧化钨电致变色和储能材料及制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113652753A
申请号 :
CN202110947621.0
公开(公告)日 :
2021-11-16
申请日 :
2021-08-18
授权号 :
CN113652753B
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
张勇董森宇吴玉程陶新宇张雪茹舒霞王岩崔接武秦永强
申请人 :
合肥工业大学
申请人地址 :
安徽省合肥市屯溪路193号
代理机构 :
合肥云道尔知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
闫兴贵
优先权 :
CN202110947621.0
主分类号 :
C30B29/62
IPC分类号 :
C30B29/62  C30B29/32  C30B7/10  C23C14/08  C23C14/35  C23C18/12  G02F1/1524  
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IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/60
以形状为特征的
C30B29/62
晶须或针状结晶
法律状态
2022-04-19 :
授权
2021-12-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/62
申请日 : 20210818
2021-11-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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