适合高密度系统集成的SOC PMUT、阵列芯片及制造方法
授权
摘要
本发明公开一种适合高密度系统集成的SOC PMUT、阵列芯片及制造方法，所述适合高密度系统集成的SOC PMUT通过有源晶圆的直接键合，垂直方向的多通道金属连线结构，实现SOC PMUT阵列及其CMOS辅助电路的垂直堆叠，单片集成，并通过TSV延展到封装层面，不再需要通过阵列周边的压焊块与CMOS联通，解除了传统超声换能器金属互连的瓶颈，极大地降低了超声换能器金属互连所占的芯片面积，同时降低了金属布线的长度，以及由此而引起的电学寄生效应对超声换能器阵列性能的不良影响。
基本信息
专利标题 ：
适合高密度系统集成的SOC PMUT、阵列芯片及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113666327A
申请号 ：
CN202110991562.7
公开（公告）日 ：
2021-11-19
申请日 ：
2021-08-27
授权号 ：
CN113666327B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
李晖尹峰
申请人 ：
南京声息芯影科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦2081室
代理机构 ：
北京德崇智捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王斌
优先权 ：
CN202110991562.7
主分类号 ：
B81B7/00
IPC分类号 ：
B81B7/00 B81B7/02 B81C1/00 B06B1/06
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-12-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81B 7/00
申请日 : 20210827
申请日 : 20210827
2021-11-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
