一种光电子抑制电离源装置
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摘要

本发明属于质谱离子源技术领域,特别涉及一种光电子抑制电离源装置。包括由上至下依次设置的紫外光源、顶部传输电极、多极杆电极及改性出口电极,其中顶部传输电极和改性出口电极的轴向开有通孔;紫外光源设置于顶部传输电极的顶部通孔处,用于向电离区照射紫外光;顶部传输电极的上端设有顶盖电极挡光绝缘垫,顶盖电极挡光绝缘垫用于阻挡紫外光源的紫外光对顶部传输电极的辐照;顶部传输电极和多极杆电极之间设有多极杆电极绝缘垫;多极杆电极的内侧设有挡光管,挡光管用于阻挡紫外光源的紫外光对多极杆电极的辐照。本发明不仅可以抑制光电子产生保证单一的单光子电离途径,还能够能实现离子聚焦,提高离子传输效率,有效提高样品测定动态区间。

基本信息
专利标题 :
一种光电子抑制电离源装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113808909A
申请号 :
CN202110992538.5
公开(公告)日 :
2021-12-17
申请日 :
2021-08-27
授权号 :
CN113808909B
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
李海洋曹艺雪陈平文宇轩陈懿
申请人 :
中国科学院大连化学物理研究所
申请人地址 :
辽宁省大连市沙河口区中山路457号-41
代理机构 :
沈阳科苑专利商标代理有限公司
代理人 :
何丽英
优先权 :
CN202110992538.5
主分类号 :
H01J49/16
IPC分类号 :
H01J49/16  H01J49/06  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J49/00
粒子分光仪或粒子分离管
H01J49/02
零部件
H01J49/10
离子源;离子枪
H01J49/16
用表面电离的,如场致发射、热发射或光电发射
法律状态
2022-05-17 :
授权
2022-01-04 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 49/16
申请日 : 20210827
2021-12-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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